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数量:3508 |
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规格书 |
2N7000/02, NDS7002A Datasheet |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 200mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 50pF @ 25V |
功率 - 最大 | 400mW |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Box (TB) |
包装 | 3TO-92 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 0.2 A |
RDS -于 | 5000@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Ammo |
最大漏源电阻 | 5000@10V |
最大漏源电压 | 60 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大功率耗散 | 400 |
最大连续漏极电流 | 0.2 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Formed |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 200mA |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 1mA |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 400mW |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 50pF @ 25V |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 2N7000_D74ZFSCT |
工厂包装数量 | 2000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 200 mA |
系列 | 2N7000 |
封装/外壳 | TO-92-3 Kinked Lead |
单位重量 | 0.007090 oz |
RDS(ON) | 1.2 Ohms |
功率耗散 | 400 mW |
安装风格 | Through Hole |
正向跨导 - 闵 | 0.1 S |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
漏极电流(最大值) | 0.2 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 5 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-92 |
极性 | N |
类型 | Small Signal |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 60 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
产品 | MOSFET Small Signal |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
长度 | 5.2 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
身高 | 5.33 mm |
Pd - Power Dissipation | 400 mW |
技术 | Si |
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